1. IRF540N,N沟道,100V,33A,44mΩ@10V
栅极（Gate—G，也叫做门极），源极(Source—S)， 漏极（Drain—D）
漏源电压（Vdss）
100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
33A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
44mΩ @ 16A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
130W
类型
N沟道
IRF540N（NMOS管）应用电路
MOS管由电压控制，与三极管不同（三极管是电流控制）。说白了，给箭头方向相反的压降就是导通，方向相同就是截止
可以在单片机和栅极之间加一个1k的电阻，起到限流作用；
此外，可以栅极和源极之间加一个10k的电阻，一是为场效应管提供偏置电压；二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S
参考 https://www.cnblogs.com/byxzwz/p/10265739.html
2. IRF9540N,P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V
漏源电压（Vdss）
-100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
23A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
117mΩ @ 11A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
140W
类型
P沟道
IRF9540N（PMOS管）应用电路
3. IRF9540,P沟道,-100V,-19A
跟IRF9540N的区别是引脚封装不同，从原理图可以看出来，两个正好是上下颠倒的。
漏源电压（Vdss）
-100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
19A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
200mΩ @ 11A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
150W(Tc)
类型
P沟道